TIP33CG

Descripción

Fabricante: onsemi

Categoría de producto:  Transistores bipolares – Transistores de empalme bipolar (BJT)

Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-247-3

Polaridad del transistor: NPN

Configuración:   Single

Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 100 V

Tensión VCBO colector-base:100 V

Voltaje VEBO emisor-base: 5 V

Voltaje de saturación colector-emisor: 1 V

Corriente CC máxima de colector: 10 A

Dp – Disipación de potencia: 80 W

Producto para ganar Ancho de banda fT: 3 MHz

Temperatura de trabajo mínima: – 65 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Corriente continua del colector: 10 A

Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima: 40

Tipo de producto: BJTs – Bipolar Transistors

Subcategoría: Transistors

Tecnología: Si

Altura:  16.2 – 4 mm

Longitud: 15.2 mm

Ancho:  4.9 mm

Peso de la unidad: 6,500 g