IRFU220PBF

Descripción

Fabricante:   Vishay

Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Tecnología:  Si

Estilo de montaje:  Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-251-3

Polaridad del transistor:   N-Channel

Número de canales: 1 Channel

Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 200 V

Id – Corriente de drenaje continua: 4.8 A

Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente:   800 mOhms

Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V

Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V

Qg – Carga de puerta: 14 nC

Temperatura de trabajo mínima: – 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Dp – Disipación de potencia : 2.5 W

Modo canal: Enhancement

Serie: IRFR/U

Marca: Vishay Semiconductors

Configuración: Single

Tipo de producto:   MOSFET

Longitud 10.54mm

Ancho 4.69mm

Altura 8.77mm

Peso de la unidad:  340 mg