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Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor: N-MOSFET
Polarización: unipolar
Tensión drenaje-fuente:100V
Corriente del drenaje: 3,4A
Poder disipado:2W
Paquete / Cubierta: SO-8
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resistencia en estado de transferencia:151mΩ
Montaje: SMD
Carga de puerta: 20nC
Clase de canal: enriquecido
Peso bruto: 0.132 g
Longitud: 4.81 mm
ancho:3.81 mm
Altura: 1.45 mm
Weight | 0.132 g |
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Dimensions | 4.81 × 3.81 × 1.45 mm |
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