IRFZ34NPBF

Descripción

Fabricante:      Infineon

Categoría de producto: MOSFET

Tecnología: Si

Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-220-3

Polaridad del transistor: N-Channel

Número de canales:     1 Channel

Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 55 V

Id – Corriente de drenaje continua: 26 A

Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 40 mOhms

Vgs – Tensión entre puerta y fuente:  – 20 V, + 20 V

Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V

Qg – Carga de puerta:  22.7 nC

Temperatura de trabajo mínima: – 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 175 C

Dp – Disipación de potencia : 56 W

Modo canal: Enhancement

Configuración: Single

Altura: 15.65 mm

Longitud: 10 mm

Tipo de transistor: 1 N-Channel

Ancho: 4.4 mm

Peso de la unidad: 2 g