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Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 55 V
Id – Corriente de drenaje continua: 26 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 40 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
Qg – Carga de puerta: 22.7 nC
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Dp – Disipación de potencia : 56 W
Modo canal: Enhancement
Configuración: Single
Altura: 15.65 mm
Longitud: 10 mm
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Ancho: 4.4 mm
Peso de la unidad: 2 g
Weight | 2 g |
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Dimensions | 10 × 4.4 × 15.65 mm |
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