SIS412DN

Descripción

Fabricante:      Vishay

Categoría de producto: MOSFET

Tecnología:  Si

Estilo de montaje: SMD/SMT

Paquete / Cubierta:  PowerPAK-1212-8

Polaridad del transistor: N-Channel

Número de canales:     1 Channel

Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 30 V

Id – Corriente de drenaje continua:     12 A

Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 24 mOhms

Vgs – Tensión entre puerta y fuente:  – 10 V, + 10 V

Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V

Qg – Carga de puerta:  8 nC

Temperatura de trabajo mínima: – 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Dp – Disipación de potencia : 10 W

Modo canal:    Enhancement

Configuración: Single

Tiempo de caída: 10 ns

Transconductancia hacia delante – Mín.: 17 S

Tiempo de subida: 10 ns, 12 ns

Tipo de transistor: 1 N-Channel

Tiempo de retardo de apagado típico: 13 ns, 15 ns

Tiempo típico de demora de encendido: 5 ns, 15 ns

Peso de la unidad:       1 g

Ancho: 3.3 mm

Altura: 1.04 mm

Longitud:3.3  mm