SIS402DN-T1-GE3

Descripción

Fabricante: Vishay

Categoría de producto:  Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Tecnología: Si

Estilo de montaje: SMD/SMT

Paquete / Cubierta: PowerPAK-1212-8

Polaridad del transistor: N-Channel

Número de canales: 1 Channel

Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 30 V

Id – Corriente de drenaje continua:           35 A

Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente:        6 mOhms

Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V

Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente:   1.15 V

Qg – Carga de puerta:     42 nC

Temperatura de trabajo mínima: – 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Dp – Disipación de potencia : M52 W

Nombre comercial: TrenchFET, PowerPAK

Marca:  Vishay Semiconductors

Configuración:   Single

Tipo de producto: MOSFETs

Subcategoría: Transistors

Alias de las piezas n.º:    SIJ484DP-T1-GE3

Peso de la unidad: 1 g