SIR172ADP

Description

Fabricante:      Vishay

Categoría de producto: MOSFET

Tecnología:      Si

Estilo de montaje: SMD/SMT

Paquete / Cubierta:      PowerPAK-SO-8

Polaridad del transistor: N-Channel

Número de canales: 1 Channel

Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 30 V

Id – Corriente de drenaje continua:     24 A

Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 8.5 mOhms

Vgs – Tensión entre puerta y fuente:  – 20 V, + 20 V

Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V

Qg – Carga de puerta:  44 nC

Temperatura de trabajo mínima: – 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Dp – Disipación de potencia : 29.8 W

Modo canal:    Enhancement

Configuración: Single

Ancho: 5.15 mm

Altura: 1.04 mm

Longitud: 6.15 mm

Peso de la unidad: 506,600 mg