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Fabricante: UMM
Categoría de producto: MOSFETS De potencia
Canal P 30 V 1,7 A
Estado de la pieza: Activo
Tipo FET: Canal P
Tecnología: MOSFET (óxido metálico)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss): 30 voltios
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1,7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado): 4,5 V, 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs: 190 mOhmios a 1,7 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.:3V @ 250μA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs:4 NC a 4,5 V: Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF a 15 V
Disipación de energía (máx.): 900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-23
Longitud: 2.8 mm
ancho:1.2 mm
Altura: 0.9 mm
Dimensions | 2.8 × 1.2 × 0.9 mm |
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