SI2303

Descripción

Fabricante: UMM

Categoría de producto: MOSFETS De potencia

Canal P 30 V 1,7 A

Estado de la pieza: Activo

Tipo FET: Canal P

Tecnología: MOSFET (óxido metálico)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss): 30 voltios

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1,7A (Ta)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado): 4,5 V, 10 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs: 190 mOhmios a 1,7 A, 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.:3V @ 250μA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs:4 NC a 4,5 V:  Vgs (máx.): ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF a 15 V

Disipación de energía (máx.): 900mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)

Tipo de montaje: Montaje superficial

Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-23

Longitud: 2.8 mm

ancho:1.2  mm

Altura: 0.9 mm