IRF640NSTRLPBF

Description

Fabricante:  Infineon

Categoría de producto: MOSFET

Tecnología:      Si

Estilo de montaje: SMD/SMT

Paquete / Cubierta: D2PAK-3 (TO-263-3)

Polaridad del transistor: N-Channel

Número de canales: 1 Channel

Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 200 V

Id – Corriente de drenaje continua: 18 A

Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 150 mOhms

Vgs – Tensión entre puerta y fuente:  – 20 V, + 20 V

Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V

Qg – Carga de puerta:  44.7 nC

Temperatura de trabajo mínima: – 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 175 C

Dp – Disipación de potencia : 150 W

Modo canal:    Enhancement

Configuración: Single

Tiempo de caída: 5.5 ns

Transconductancia hacia delante – Mín.: 6.8 S

Tiempo de subida: 19 ns

Tipo de transistor: 1 N-Channel

Tiempo de retardo de apagado típico: 23 ns

Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns

Altura: 2.3 mm

Longitud: 6.5 mm

Ancho: 6.22 mm

Peso de la unidad: 4 g