IRF540NPBF

Description

Fabricante: Infineon

Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Tecnología:  Si

Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-220-3

Polaridad del transistor: N-Channel

Número de canales: 1 Channel

Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 100 V

Id – Corriente de drenaje continua: 33 A

Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente:   44 mOhms

Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V

Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V

Qg – Carga de puerta: 47.3 nC

Temperatura de trabajo mínima: – 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 175 C

Dp – Disipación de potencia : 140 W

Configuración: Single

Subcategoría: MOSFETs

Tipo de transistor:  1 N-Channel

Altura: 15.65 mm

Longitud: 10 mm

Ancho: 4.4 mm

Peso de la unidad:  2 g