IPD50N06S4L12ATMA2

Descripción

Fabricante: Infineon

Categoría de producto:  Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Tecnología: Si

Estilo de montaje: SMD/SMT

Paquete / Cubierta: DPAK-3 (TO-252-3)

Polaridad del transistor: N-Channel

Número de canales: 1 Channel

Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V

Id – Corriente de drenaje continua: 50 A

Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 12 mOhms

Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V

Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente:   1.7 V

Qg – Carga de puerta:     40 nC

Temperatura de trabajo mínima: – 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 175 C

Dp – Disipación de potencia :       50 W

Modo canal: Enhancement

Calificación: AEC-Q101

Marca:  Infineon Technologies

Configuración:   Single

Tiempo de caída: 5 ns

Transconductancia hacia delante – Mín.: –

Tiempo de subida: 2 ns

Tipo de transistor: 1 N-Channel

Tiempo de retardo de apagado típico: 25 ns

Tiempo típico de demora de encendido: 6 ns

Alias de las piezas n.º: IPD50N06S4L-12 SP001028640

Peso de la unidad: 4 g

Longitud: 6.5 mm

Ancho:  6.22 mm

Altura:  2.3 mm