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Fabricante: Diodes Incorporated
Categorรญa de producto:ย Transistores bipolares – Transistores de empalme bipolar (BJT)
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: SOT-23-3
Polaridad del transistor: PNP
Configuraciรณn:ย ย Single
Mรกx. voltaje VCEO colector-emisor: 40 V
Tensiรณn VCBO colector-base: 40 V
Voltaje VEBO emisor-base: 7 V
Voltaje de saturaciรณn colector-emisor: 245 mV
Corriente CC mรกxima de colector: 1.5 A
Dp – Disipaciรณn de potencia : 625 mW
Producto para ganar Ancho de banda fT: 190 MHz
Temperatura de trabajo mรญnima: – 55 C
Temperatura de trabajo mรกxima: + 150 C
Corriente continua del colector: – 1.5 A
Colector DC/Ganancia Base hfe Mรญnima: 300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 60 at 1.5 A, 2 V, 12 at 3 A, 2 V
Mรกx. ganancia de CC hFE: 300 at 10 mA, 2 V
Tipo de producto: BJTs – Bipolar Transistors
Subcategorรญa: Transistors
Tecnologรญa: Si
Altura:ย 1 mm
Longitud:3.05 mm
Ancho:ย 1.4 mm
Peso de la unidad: 8 mg
| Peso | 0.008 g |
|---|---|
| Dimensiones | 3.05 × 1.4 × 1 mm |
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