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Transistor metal-รณxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET.
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Fabricante: onsemi
Categorรญa de producto:ย Transistor metal-รณxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Tecnologรญa: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: Power-56-8
Polaridad del transistor: N-Channel
Nรบmero de canales: 1 Channel
Vds – Tensiรณn disruptiva entre drenaje y fuente: 30 V
Id – Corriente de drenaje continua: 49 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 2 mOhms
Vgs – Tensiรณn entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V
Vgs th – Tensiรณn umbral entre puerta y fuente:ย ย 1.2 V
Qg – Carga de puerta: 109 nC
Temperatura de trabajo mรญnima: – 55 C
Temperatura de trabajo mรกxima: + 150 C
Dp – Disipaciรณn de potencia : 89 W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: PowerTrench SyncFET
Marca:ย onsemi / Fairchild
Configuraciรณn:ย ย Single
Tiempo de caรญda: 5 ns
Transconductancia hacia delante – Mรญn.: 181 S
Altura:ย 1.1 mm
Longitud: 6 mm
Ancho:ย 5 mm
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 8 ns
Subcategorรญa: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado tรญpico:ย ย ย ย 43 ns
Tiempo tรญpico de demora de encendido: 20 ns
Peso de la unidad: 68,100 mg
| Peso | 0.0681 g |
|---|---|
| Dimensiones | 6 × 5 × 1.1 mm |
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