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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET.
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Fabricante: onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Tecnología: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: Power-56-8
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 30 V
Id – Corriente de drenaje continua: 49 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 2 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
Qg – Carga de puerta: 109 nC
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp – Disipación de potencia : 89 W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: PowerTrench SyncFET
Marca: onsemi / Fairchild
Configuración: Single
Tiempo de caída: 5 ns
Transconductancia hacia delante – Mín.: 181 S
Altura: 1.1 mm
Longitud: 6 mm
Ancho: 5 mm
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 8 ns
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 43 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns
Peso de la unidad: 68,100 mg
Weight | 0.0681 g |
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Dimensions | 6 × 5 × 1.1 mm |
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