DMP3020LSS-13

Descripción

Categoría de producto:  Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Tecnología: Si

Estilo de montaje: SMD/SMT

Paquete / Cubierta: SOIC-8

Polaridad del transistor: P-Channel

Número de canales: 1 Channel

Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 30 V

Id – Corriente de drenaje continua: 12 A

Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 14 mOhms

Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 25 V, + 25 V

Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente:   1 V

Qg – Carga de puerta:     30.7 nC

Temperatura de trabajo mínima: – 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Dp – Disipación de potencia : 2.5 W

Modo canal:       Enhancement

Marca:  Diodes Incorporated

Configuración:   Single

Tiempo de caída: 30 ns

Transconductancia hacia delante – Mín.: 12 S

Altura:  1.5 mm

Longitud: 5.3 mm

Ancho:  4.1 mm

Producto: MOSFET Small Signals

Tiempo de subida: 8 ns

Tipo de transistor: 1 P-Channel

Tiempo de retardo de apagado típico: 46 ns

Tiempo típico de demora de encendido: 5.1 ns

Peso de la unidad:  851 mg