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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 2.5W
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Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Polaridad del transistor: P-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 30 V
Id – Corriente de drenaje continua: 12 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 14 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 25 V, + 25 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
Qg – Carga de puerta: 30.7 nC
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp – Disipación de potencia : 2.5 W
Modo canal: Enhancement
Marca: Diodes Incorporated
Configuración: Single
Tiempo de caída: 30 ns
Transconductancia hacia delante – Mín.: 12 S
Altura: 1.5 mm
Longitud: 5.3 mm
Ancho: 4.1 mm
Producto: MOSFET Small Signals
Tiempo de subida: 8 ns
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 46 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 5.1 ns
Peso de la unidad: 851 mg
Weight | 0.851 g |
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Dimensions | 5.3 × 4.1 × 1.5 mm |
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