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Transistores bipolares – Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
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Fabricante: JIANGSU
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: SOT-32-3
Polaridad del transistor: NPN
Configuración: Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 30 V
Tensión VCBO colector-base: 60 V
Voltaje VEBO emisor-base: 5 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 1.1 V
Corriente CC máxima de colector: 3 A
Dp – Disipación de potencia: 12.5 W
Producto para ganar Ancho de banda fT: 100 MHz
Temperatura de trabajo mínima: –
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Serie: 2SD882
Tipo de producto: BJTs – Bipolar Transistors
Tecnología: Si
Altura: 10.8 mm
Longitud:7.8 mm
Ancho:2.7 mm
Peso de la unidad: 60 mg
Weight | 0.06 g |
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Dimensions | 7.8 × 2.7 × 10.8 mm |
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