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Transistores bipolares – Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
3 disponibles
Fabricante: JIANGSU
Estilo de montaje:ย Through Hole
Paquete / Cubierta: SOT-32-3
Polaridad del transistor:ย ย NPN
Configuraciรณn: Single
Mรกx. voltaje VCEO colector-emisor: 30 V
Tensiรณn VCBO colector-base: 60 V
Voltaje VEBO emisor-base: 5 V
Voltaje de saturaciรณn colector-emisor: 1.1 V
Corriente CC mรกxima de colector: 3 A
Dp – Disipaciรณn de potencia: 12.5 W
Producto para ganar Ancho de banda fT: 100 MHz
Temperatura de trabajo mรญnima: –
Temperatura de trabajo mรกxima: + 150 C
Serie: 2SD882
Tipo de producto:ย ย BJTs – Bipolar Transistors
Tecnologรญa:ย Si
Altura: 10.8 mm
Longitud:7.8 mm
Ancho:2.7 mm
Peso de la unidad:ย 60 mg
| Peso | 0.06 g |
|---|---|
| Dimensiones | 7.8 × 2.7 × 10.8 mm |
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