2N7002

Descripción

Fabricante: onsemi

Categoría de producto:  Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Tecnología: Si

Estilo de montaje: SMD/SMT

Paquete / Cubierta: SOT-23-3

Polaridad del transistor: N-Channel

Número de canales: 1 Channel

Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V

Id – Corriente de drenaje continua: 115 mA

Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 7.5 Ohms

Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V

Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente:   2.5 V

Qg – Carga de puerta: –

Temperatura de trabajo mínima: – 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Dp – Disipación de potencia : 350 mW

Modo canal: Enhancement

Configuración: Single

Transconductancia hacia delante – Mín.: 0.08 S

Altura:  1.2 mm

Ancho:  1.3 mm

Longitud: 2.9 mm

Producto: MOSFET Small Signals

Tipo de transistor: 1 N-Channel

Alias de las piezas n.º: 2N7002_NL

Peso de la unidad: 8 mg