2N7002

Description

Fabricante: onsemi

Categoría de producto: MOSFET

Tecnología: Si

Estilo de montaje: SMD/SMT

Paquete / Cubierta: SOT-23-3

Polaridad del transistor: N-Channel

Número de canales:  1 Channel

Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V

Id – Corriente de drenaje continua: 115 mA

Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 7.5 Ohms

Vgs – Tensión entre puerta y fuente:  – 20 V, + 20 V

Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V

Qg – Carga de puerta:  –

Temperatura de trabajo mínima: – 55 C

Temperatura de trabajo máxima:+ 150 C

Dp – Disipación de potencia : 350 mW

Modo canal:    Enhancement

Configuración: Single

Transconductancia hacia delante – Mín.: 0.08 S

Subcategoría:  MOSFETs

Tipo de transistor: 1 N-Channel

Peso de la unidad: 8 mg

Ancho: 1.3 mm

Altura: 1.2 mm

Longitud: 2.9 mm