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Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 600 V
Id – Corriente de drenaje continua: 7.5 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 550 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 25 V, + 25 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
Qg – Carga de puerta: 13.5 nC
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp – Disipación de potencia : 25 W
Modo canal: Enhancement
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 13.2 ns
Tiempo de subida: 8 ns
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 32.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 8.8 ns
Peso de la unidad: 2 g
Longitud: 28.7 mm
ancho:11 mm
Altura: 4.7 mm
Weight | 2 g |
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Dimensions | 28.7 × 11 × 4.7 mm |
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