STFH10N60M2

Descripción

Fabricante: STMicroelectronics

Categoría de producto: MOSFET

Tecnología:  Si

Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-220-3

Polaridad del transistor: N-Channel

Número de canales: 1 Channel

Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 600 V

Id – Corriente de drenaje continua: 7.5 A

Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 550 mOhms

Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 25 V, + 25 V

Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V

Qg – Carga de puerta: 13.5 nC

Temperatura de trabajo mínima: – 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Dp – Disipación de potencia : 25 W

Modo canal: Enhancement

Marca: STMicroelectronics

Configuración: Single

Tiempo de caída: 13.2 ns

Tiempo de subida:  8 ns

Tipo de transistor:  1 N-Channel

Tiempo de retardo de apagado típico:   32.5 ns

Tiempo típico de demora de encendido: 8.8 ns

Peso de la unidad:  2 g

Longitud: 28.7 mm

ancho:11 mm

Altura: 4.7 mm